[한스경제=최정화 기자] 삼성전자가 세계 최초로 게이트올어라운드(GAA) 기술을 적용한 3㎚(나노미터) 반도체 제품을 다음주 첫 공개한다.

20일 정부와 업계에 따르면 삼성전자는 오는 25일 오전 삼성전자 화성캠퍼스에서 파운드리(위탁 생산) 3㎚ 제품 출하식을 연다. 출하식에는 이창양 산업통상자원부 장관과 경계현 삼성전자 사장 등 주요 관계자가 참석할 예정이다. 출하식과 함께 3나노 기술개발 경과보고도 진행된다.

삼성전자가 만든 3㎚ 공정 제품은 복수의 팹리스(반도체 설계회사)에 공급되는 것으로 알려졌다.

앞서 삼성전자는 지난달 30일 GAA 3㎚ 양산을 발표했다. 이 공정은 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 초미세 기술로 수율 상승에도 도움을 줄 것으로 보인다.

3㎚ GAA 1세대 공정은 기존 5㎚ 핀펫 공정에 비해 전력은 45% 절감하고 성능은 23% 높일 수 있다. 내년 도입 예정인 GAA 2세대 공정은 전력을 50%까지 절감하고 성능은 30% 향상시킬 수 있을 것으로 전망된다.

삼성전자는 모바일 시스템온칩(SoC) 등으로 3㎚ 공정 적용을 확대해 나갈 예정이며 내년 GAA 2세대 공정을 도입할 계획이다. 

이번 GAA 3㎚ 도입은 트랜지스터 차세대 기술을 선점하고 새로운 시장 주도권을 확보했다는 점에서 의미가 크다.

현재 10㎚ 이하 반도체 양산이 가능한 곳은 TSMC와 삼성전자뿐이다. TSMC가 3㎚ 양산을 내년으로 미루면서 삼성전자는 초미세공정 기술력에서 가장 앞서게 됐다.

최정화 기자 choijh@sporbiz.co.kr