내용요약 기존보다 속도 13% 빨라진 신제품 개발 성공
HKMG 공정 성능 극대화...저전력 동시 구현
"초격차 기술개발 박차, IT업계 게임 체인저 될 것"

[한스경제=최정화 기자] SK하이닉스가 최고속 LPDDR5X를 발표한지 두 달만에 현존 최고속 모바일용 D램 신제품 개발에 성공했다.

SK하이닉스 LPDDR5T. /사진=SK하이닉스
SK하이닉스 LPDDR5T. /사진=SK하이닉스

SK하이닉스는 기존보다 13% 빨라진 'LPDDR5T'를 개발해 고객사에 샘플을 제공했다고 25일 밝혔다. LPDDR5T는 SK하이닉스가 지난해 11월 공개한 모바일 D램 LPDDR5X의 성능을 업그레이드한 제품이다.

SK하이닉스는 "초당 8.5Gb 속도의 LPDDR5X를 내놓은 지 불과 두 달만에 기술한계를 다시 한번 돌파했다"며 "10나노급 4세대(1a) 미세공정 기반으로 올 하반기부터 이 제품 양산에 들어갈 계획"이라고 설명했다.

그러면서 "앞으로 이번 신제품을 기반으로 고객이 필요로 하는 다양한 용량의 제품을 공급해 모바일용 D램 시장의 주도권을 더욱 견고히 할 것"이라고 덧붙였다.

최근 SK하이닉스는 LPDDR5T 단품 칩들을 결합해 16GB(기가바이트) 용량의 패키지 제품으로 만들어 샘플을 고객에게 제공했다. 패키지 제품의 데이터 처리 속도는 초당 77GB로 이는 FHD(Full-HD)급 영화 15편을 1초에 처리하는 수준이다. LPDDR은 스마트폰과 태블릿 등 모바일용 제품에 들어가는 D램 규격으로 전력 소모량의 최소화를 목적으로 하고 있어 저전압 동작 특성을 갖고 있다.

이번 신제품의 동작속도는 LPDDR5X 대비 13% 빨라진 9.6Gbps(초당 9.6기가비트)까지 높아졌다. SK하이닉스는 최고 속도를 구현했다는 점을 부각하기 위해 규격명인 LPDDR5 뒤에 터보를 붙였다.

LPDDR5T는 국제반도체표준화기구(JEDEC)가 정한 최저 전압 기준인 1.01~1.12V(볼트)에서 작동하며 초저전력 특성도 동시에 구현해냈다. 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해 누설 전류를 막고 정전용량을 개선한 HKMG(High-K Metal Gate) 공정도 적용됐다.

IT업계는 앞으로 5G 스마트폰 시장이 확대되면 속도, 용량, 저전력 등 모든 스펙이 고도화된 메모리 수요가 늘어날 것으로 보고 있다. 이런 흐름에서 SK하이닉스는 이번 LPDDR5T의 활용 범위가 스마트폰뿐 아니라 인공지능(AI), 머신러닝, 증강·가상현실(AR·VR)까지 확대될 것으로 기대하고 있다.

류성수 SK하이닉스 부사장(DRAM상품기획담당)은 "앞으로도 차세대 반도체 시장을 선도할 초격차 기술 개발에 힘써 IT 세상의 게임 체인저가 될 것"이라고 말했다.

최정화 기자

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